10月12日，中国一冶中标国家存储器基地项目（一期）长江未来馆工程。

国家存储器基地项目（一期）长江未来馆工程位于武汉光谷未来科技城内，场地北侧为三湖街路，东侧为未来三路，西侧为未来二路，南侧为科技五路。中国一冶施工内容主要为有长江未来馆施工图所示的土建工程、室外工程、大临设施、机电工程、消防工程、精装修等所有项目及外部连廊。工程主体为五层钢筋混凝土框架结构，屋面为钢架屋面，建筑占地面积18868平方米，建筑面积66898平方米。使用功能包括停车、运动健身及生活娱乐。

国家存储器基地项目以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，总产能将达到每月30万片，年产值将超过100亿美元，标志着芯片国产化之路将迈出可靠而重要的一步。　（中国一冶集团　陈　明　常　岑）